RGT8NL65DGTL, IGBT Transistors RGT8NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General I

RGT8NL65DGTL, IGBT Transistors RGT8NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
986 шт., срок 6-8 недель
610 руб.
от 10 шт.450 руб.
от 100 шт.358 руб.
от 250 шт.324.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006218314
Артикул: RGT8NL65DGTL
Бренд: Rohm

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current
Power Dissipation 65Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGT8NL65DGTL
pdf, 1206 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.