IXFH32N100X, MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 060 руб.
от 10 шт. —
4 790 руб.
от 30 шт. —
4 570 руб.
от 120 шт. —
3 980.36 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 060 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 1000V 32A TO-247 Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | X-Class |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4075pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 890W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 16A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 4mA |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH32N100X
pdf, 937 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
