SSM3K16CTC,L3F, MOSFET LowON Res MOSFET ID=.2A VDSS=20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7880 шт., срок 7-9 недель
94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 94 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.2A VDSS=20V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.28 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 36 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | CST-3C |
| Вес, г | 0.0006 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K16CTC.L3F
pdf, 225 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
