IXFX78N50P3, MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 920 руб.
от 10 шт. —
3 280 руб.
от 30 шт. —
2 520 руб.
от 60 шт. —
2 283.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 920 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 78 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.13 kW |
Qg - заряд затвора | 147 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 68 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 7 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 75 S, 40 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFX78N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet IXFX78N50P3
pdf, 256 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ