IXFH44N50Q3, MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 750 руб.
от 10 шт. —
4 780 руб.
от 30 шт. —
4 150 руб.
от 60 шт. —
3 852.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 750 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 44А, 830Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
Pd - рассеивание мощности | 830 W |
Qg - заряд затвора | 93 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 250 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFH44N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXFH44N50Q3
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов