BGA614H6327XTSA1, RF Amplifier RF SILICON MMIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
306 руб.
от 250 шт. —
257.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Semiconductors\Wireless & RF Integrated Circuits\RF Amplifier
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain: | 19 dB |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure: | 2 dB |
| OIP3 - Third Order Intercept: | 25 dBm |
| Operating Frequency: | 0 Hz to 2.4 GHz |
| Operating Supply Current: | 40 mA |
| Operating Supply Voltage: | 5 V |
| P1dB - Compression Point: | 12 dBm |
| Package / Case: | SOT-343-4 |
| Part # Aliases: | BGA 614 H6327 SP000753512 |
| Product Category: | RF Amplifier |
| Product Type: | RF Amplifier |
| Series: | BGA614 |
| Subcategory: | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Technology: | SiGe |
| Test Frequency: | 1 GHz |
| Type: | Driver Amplifiers |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
