AIKW20N60CTXKSA1, IGBT Transistors DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 670 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with fast recovery antiparallel emitter controlled diode.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | AIKW20N60CT SP001346790 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | 600V TRENCHSTOP |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 166 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.05 |
Техническая документация
Datasheet AIKW20N60CTXKSA1
pdf, 1887 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
