IXA60IF1200NA, IGBT Modules XPT IGBT Copack
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 550 руб.
от 10 шт. —
6 890 руб.
от 20 шт. —
6 820 руб.
от 50 шт. —
6 143.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 550 руб.
Описание
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 88 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 290 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 37.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
