RGTH60TS65GC11, IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench

Фото 1/2 RGTH60TS65GC11, IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
218 шт., срок 6-8 недель
1 060 руб.
от 10 шт.830 руб.
от 25 шт.754 руб.
от 100 шт.614.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 060 руб.
Номенклатурный номер: 8006245425
Артикул: RGTH60TS65GC11
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 194 W
Вид монтажа Through Hole
Диапазон рабочих температур 40 C to + 175 C
Другие названия товара № RGTH60TS65
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток 30 A
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 58 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 58 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 450
Серия RGTH60TS65
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Tube
Base Product Number RGTH60 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 58A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 58nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 197W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package TO-247N
Td (on/off) @ 25В°C 27ns/105ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RGTH60TS65GC11
pdf, 1014 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.