Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › RN2501(TE85L,F), Digital Transistors Gen ...

RN2501(TE85L,F), Digital Transistors Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

525 шт., срок 6-8 недель

96 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 96 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006247020

Артикул: RN2501(TE85L,F)

Бренд: Toshiba

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	200 MHz
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN2501
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SMV-5
Base-Emitter Resistor	4.7kΩ
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	30
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SSOP
Pin Count	5
Transistor Configuration	Common Emitter
Transistor Type	PNP
Typical Input Resistor	4.7 kΩ
Typical Resistor Ratio	1
Вес, г	1