IXFT50N60P3, MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFT50N60P3, MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 300 руб.
от 30 шт.2 350 руб.
от 120 шт.1 960 руб.
от 510 шт.1 685.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 300 руб.
Номенклатурный номер: 8006251052
Артикул: IXFT50N60P3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Pd - рассеивание мощности 1040 W
Qg - заряд затвора 94 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 145 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20 ns
Время спада 17 ns
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 55 S, 32 S
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFT50N60
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-268-3
Вес, г 6.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов