IXFT50N60P3, MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 300 руб.
от 30 шт. —
2 350 руб.
от 120 шт. —
1 960 руб.
от 510 шт. —
1 685.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Pd - рассеивание мощности | 1040 W |
Qg - заряд затвора | 94 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 20 ns |
Время спада | 17 ns |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S, 32 S |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFT50N60 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.