ETD510N16P60HPSA1, Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 64 190 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модули
Дискретные полупроводниковые модули
Технические параметры
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 0.8 V |
| Vr - обратное напряжение | 1600 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Другие названия товара № | ETD510N16P60 |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Конфигурация | SCR/Diode Phase Control |
| Максимальная рабочая температура | + 135 C |
| Максимальный ток удержания Ih | 300 mA |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Отпирающий ток управления - Igt | 250 mA |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Diode Power Modules |
| Размер фабричной упаковки | 2 |
| Тип | Phase Control Thyristor Module |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | BG-PB60ECO-1 |
Техническая документация
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ
