RGT50NS65DGTL, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and h
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
802 шт., срок 6-8 недель
1 000 руб.
от 10 шт. —
790 руб.
от 25 шт. —
711 руб.
от 100 шт. —
564.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 000 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 48А |
Power Dissipation | 194Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGT50NS65DGTL
pdf, 902 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.