RGT50NS65DGTL, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and h

RGT50NS65DGTL, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and h
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
802 шт., срок 6-8 недель
1 000 руб.
от 10 шт.790 руб.
от 25 шт.711 руб.
от 100 шт.564.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006255228
Артикул: RGT50NS65DGTL
Бренд: Rohm

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 48А
Power Dissipation 194Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-262
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGT50NS65DGTL
pdf, 902 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.