HMC606LC5TR, RF Amplifier GaAs, InGaP, HBT, MMIC, Ultralow Phase Noise, Distributed Amplifier, 2 GHz to 18 GHz

HMC606LC5TR, RF Amplifier GaAs, InGaP, HBT, MMIC, Ultralow Phase Noise, Distributed Amplifier, 2 GHz to 18 GHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
43 110 руб.
от 10 шт.35 760 руб.
от 20 шт.34 570 руб.
от 50 шт.34 434.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 43 110 руб.
Номенклатурный номер: 8006266877
Артикул: HMC606LC5TR
Бренд: Analog Devices

Описание

Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Модули беспроводной связи и РЧ интегральные схемы\РЧ-усилитель
РЧ-усилитель WBand lo Phase Noise amp SMT, 2 - 18 GHz

Технические параметры

NF - коэффициент шумов 5 dB
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка 27 dBm
P1dB - точка сжатия 15 dBm
Pd - рассеивание мощности 1.06 W
Вид монтажа SMD/SMT
Входные потери на отражение 16 dB
Категория продукта РЧ-усилитель
Количество каналов 1 Channel
Максимальная рабочая температура + 85 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория Wireless RF Integrated Circuits
Рабочая частота 2 GHz to 18 GHz
Рабочее напряжение питания 5 V
Рабочий ток источника питания 180 mA
Размер фабричной упаковки 100
Серия HMC606G
Технология GaAs InGaP
Тип Ultra-Low Phase Noise
Тип продукта RF Amplifier
Торговая марка Analog Devices
Упаковка / блок SMD/SMT
Усиление 13.5 dB
Чувствительный к влажности Yes
Вес, г 6.558

Техническая документация

Datasheet
pdf, 553 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем