HMC606LC5TR, RF Amplifier GaAs, InGaP, HBT, MMIC, Ultralow Phase Noise, Distributed Amplifier, 2 GHz to 18 GHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 110 руб.
от 10 шт. —
35 760 руб.
от 20 шт. —
34 570 руб.
от 50 шт. —
34 434.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники\Модули беспроводной связи и РЧ интегральные схемы\РЧ-усилитель
РЧ-усилитель WBand lo Phase Noise amp SMT, 2 - 18 GHz
Технические параметры
NF - коэффициент шумов | 5 dB |
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 27 dBm |
P1dB - точка сжатия | 15 dBm |
Pd - рассеивание мощности | 1.06 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Входные потери на отражение | 16 dB |
Категория продукта | РЧ-усилитель |
Количество каналов | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | Wireless RF Integrated Circuits |
Рабочая частота | 2 GHz to 18 GHz |
Рабочее напряжение питания | 5 V |
Рабочий ток источника питания | 180 mA |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Серия | HMC606G |
Технология | GaAs InGaP |
Тип | Ultra-Low Phase Noise |
Тип продукта | RF Amplifier |
Торговая марка | Analog Devices |
Упаковка / блок | SMD/SMT |
Усиление | 13.5 dB |
Чувствительный к влажности | Yes |
Вес, г | 6.558 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 553 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем