2SB1132T100Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2603 шт. со склада г.Москва
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 188 шт.
от 428 шт. —
16 руб.
от 1798 шт. —
13.84 руб.
Добавить в корзину 188 шт.
на сумму 3 572 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор PNP, биполярный, 32V 1A SO-89
Технические параметры
| Корпус | to243 | |
| кол-во в упаковке | 1 | |
| Category | Bipolar Power | |
| Collector Current (DC) | 1(A) | |
| Collector-Base Voltage | 40(V) | |
| Collector-Emitter Voltage | 32(V) | |
| DC Current Gain | 120@0.1A@3V | |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
| Frequency | 150(MHz) | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -55C to 150C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Output Power | Not Required(W) | |
| Package Type | MPT | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Power Dissipation | 2(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Вес, г | 0.134 |
Техническая документация
Документация
pdf, 206 КБ
Datasheet 2SB1132
pdf, 128 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
