BSC098N10NS5ATMA1, MOSFET Pwr transistor 100V OptiMOS 5

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

410 руб.

от 10 шт. — 320 руб.

от 100 шт. — 257 руб.

от 250 шт. — 232.42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 410 руб.

Номенклатурный номер: 8006278243

Артикул: BSC098N10NS5ATMA1

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’.

Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	60 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0098 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.8V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SuperSO8 5x6
Pin Count	8
Series	OptiMOSTM5
Transistor Material	Silicon
Вес, г	0.156

pdf, 1329 КБ

pdf, 1133 КБ

Мы рекомендуем