CSD18536KCS, MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175

Фото 1/2 CSD18536KCS, MOSFET 60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 1.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 10 шт.1 130 руб.
от 50 шт.875 руб.
от 100 шт.760.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 260 руб.
Номенклатурный номер: 8006278992
Артикул: CSD18536KCS
Бренд: Texas Instruments

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 200А, 375Вт, TO220-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Base Product Number CSD18536 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 200A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 108nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11430pF @ 30V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series NexFETв„ў ->
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250ВµA
Вес, г 1.8

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов