IXFT50N50P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 200 руб.
от 10 шт. —
2 680 руб.
от 30 шт. —
2 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 200 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXFT50N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet IXFT50N50P3
pdf, 155 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.