IXFT50N50P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFT50N50P3, MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 200 руб.
от 10 шт.2 680 руб.
от 30 шт.2 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 200 руб.
Номенклатурный номер: 8006279340
Артикул: IXFT50N50P3
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 50 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 125 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Серия IXFT50N50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-268-3
Вес, г 7

Техническая документация

Datasheet IXFT50N50P3
pdf, 155 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов