CSD17382F4T, MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 67 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
120 руб.
от 250 шт. —
115.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V, N-Channel FemtoFET МОП-транзистор 3-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 2.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 111 ns |
| Время спада | 270 ns |
| Высота | 0.35 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PicoStar |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD17382F4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 279 ns |
| Типичное время задержки при включении | 59 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.64 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PICOSTAR |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 64@8V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 5000 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | PicoStar |
| Typical Fall Time (ns) | 270 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.1@4.5V |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 0.63 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 267@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 111 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 279 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 59 |
| Вес, г | 0.0007 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 672 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
