IXFR18N90P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 10,5А, Idm: 36А, 200Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 340 руб.
от 3 шт. —
3 450 руб.
от 10 шт. —
2 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 340 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 900В, 10,5А, Idm: 36А, 200Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | ISOPLUS247™ |
| Drain current | 10.5A |
| Drain-source voltage | 900V |
| Gate charge | 97nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.66Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed drain current | 36A |
| Reverse recovery time | 300ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 4.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 108 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
