IXFA80N25X3, MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 600 руб.

от 10 шт. — 2 120 руб.

от 50 шт. — 1 800 руб.

от 100 шт. — 1 534.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 600 руб.

Номенклатурный номер: 8006393291

Артикул: IXFA80N25X3

Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg Fast soft recovery body diode dv/dt ruggedness Superior avalanche capability

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.4V
Maximum Continuous Drain Current	80 A
Maximum Drain Source Resistance	16 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	390 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	HiperFET
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	83 @ 10 V nC
Width	11.05mm