2SC2412KT146Q, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
87828 шт., срок 7-9 недель
85 руб.
от 10 шт. —
58 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
от 1000 шт. —
15.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 85 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SC2412K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Base Product Number | 2SC2412 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SMT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-346 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
