2SA1162-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

16792 шт., срок 7-9 недель

52 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 52 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006402073

Артикул: 2SA1162-Y,LF

Бренд: Toshiba

Brand	Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.1 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain Hfe Min	70
DC Current Gain HFE Max	400
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	80 MHz
Manufacturer	Toshiba
Maximum DC Collector Current	150 mA
Maximum Operating Temperature	+125 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-59-3
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	150 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	2SA1162
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	PNP
Вес, г	0.008

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем