FF50R12RT4, IGBT Modules IGBT 1200V 50A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

21 470 руб.

от 10 шт. — 16 970 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 470 руб.

Номенклатурный номер: 8006411148

Артикул: FF50R12RT4

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A

Pd - рассеивание мощности	285 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Другие названия товара №	FF50R12RT4HOSA1 SP000624912
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Вес, г	160