SFH 309 FA-4, Phototransistors PHOTOTRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33769 шт., срок 6-8 недель
190 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 100 шт. —
78 руб.
от 1000 шт. —
60.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices.
Технические параметры
Angle of Half Sensitivity | ±12 ° |
Collector Current | 15mA |
Collector Emitter Voltage | 35 V |
Diameter | 3.1mm |
Maximum Dark Current | 1(≤ 50)nA |
Maximum Light Current | 4500µA |
Maximum Wavelength Detected | 1120nm |
Minimum Wavelength Detected | 880nm |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Channels | 1 |
Number of Pins | 2 |
Package Type | 3mm(T-1) |
Polarity | NPN |
Saturation Voltage | 200mV |
Spectral Range of Sensitivity | 880 → 1120 nm |
Spectrums Detected | Infrared |
Typical Fall Time | 7µs |
Typical Rise Time | 7µs |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Стиль Корпуса Транзистора | T-1(3mm) |
Типичное Значение Длины Волны | 900нм |
Угол Обзора | 12° |
Энергопотребление | 165мВт |
Техническая документация
Datasheet SFH 309 FA-4
pdf, 294 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары