IXFX64N50P, MOSFET 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4 930 руб.

от 10 шт. — 4 220 руб.

от 30 шт. — 3 950 руб.

от 60 шт. — 3 657.48 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 930 руб.

Номенклатурный номер: 8006417731

Артикул: IXFX64N50P

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 64А, 830Вт, PLUS247™ Характеристики

Brand:	IXYS
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Fall Time:	22 ns
Forward Transconductance - Min:	30 S
Id - Continuous Drain Current:	64 A
Manufacturer:	IXYS
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PLUS-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	830 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	150 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	85 mOhms
Rise Time:	25 ns
Series:	IXFX64N50
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	85 ns
Typical Turn-On Delay Time:	30 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	6

pdf, 148 КБ

Мы рекомендуем