AS4C16M16D1A-5TCN, DRAM 256Mb, DDR1, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
950 руб.
от 10 шт. —
810 руб.
от 108 шт. —
682 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 руб.
Описание
SDRAM - ИС памяти DDR 256 МБ (16M x 16) Параллельный 200 МГц 700ps 66-TSOP II
Технические параметры
Access Time | 700ps |
Clock Frequency | 200MHz |
ECCN | 3A991B2A |
HTSUS | 8542.32.0024 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 256Mb (16M x 16) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 66-TSOP II |
Technology | SDRAM - DDR |
Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Техническая документация
Datasheet AS4C16M16D1A-5TCN
pdf, 1840 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары