4N28
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
62 руб.
от 10 шт. —
45 руб.
от 100 шт. —
35.03 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Оптопара транзисторная 4N28 от производителя VISHAY обладает высокой изоляцией напряжением до 5.3 кВ и представлена в корпусе DIP6 для монтажа THT. Этот компонент имеет один канал с выходным напряжением максимум 70В и характеризуется временем включения и выключения по 2 мкс, что делает его идеальным выбором для быстродействующих систем. С CTR@If 30%@10mA он обеспечивает надежную связь между разделенными электрическими цепями. Продукт 4N28 имеет широкую область применения, включая защиту сигналов и электрическую изоляцию в различных электронных устройствах. Характеристики Категория | Оптопара |
Тип | транзисторная |
CTR@If | 30%@10mA |
Вид выхода | транзистор |
Кол-во каналов | 1 |
Выходное напряжение макс., В | 70 |
Время включения, мкс | 2 |
Время выключения, мкс | 2 |
Напряжение изоляции, кВ | 5.3 |
Монтаж | THT |
Корпус | DIP6 |
Технические параметры
Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | 1 Channel |
Current Transfer Ratio | 30% |
Factory Pack Quantity | 50 |
Height | 3.81 mm |
If - Forward Current | 60 mA |
Isolation Voltage | 5000 Vrms |
Length | 8.7 mm |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Collector Current | 100 mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V |
Maximum Operating Temperature | +100 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Output Type | NPN Phototransistor |
Package / Case | DIP-6 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 150 mW |
Product Category | Transistor Output Optocouplers |
RoHS | Details |
Series | 4N2x |
Vf - Forward Voltage | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage | 5 V |
Width | 6.5 mm |
Automotive | No |
Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
ECCN (US) | EAR99 |
Input Type | DC |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector Current (mA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 500 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Current Transfer Ratio (%) | 30(Typ) |
Maximum Forward Current (mA) | 60 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 5 |
Minimum Current Transfer Ratio (%) | 10 |
Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 5000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Channels per Chip | 1 |
Output Device | Transistor With Base |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Standard | UL |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | PDIP |
Typical Fall Time (us) | 2 |
Typical Forward Voltage (V) | 1.3 |
Typical Rise Time (us) | 2 |
Brand: | Vishay Semiconductors |
Configuration: | 1 Channel |
Current Transfer Ratio - Min: | 30% |
Current Transfer Ratio: | 30% |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 3 us |
If - Forward Current: | 60 mA |
Isolation Voltage: | 5000 Vrms |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Collector Current: | 100 mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Maximum Collector Emitter Voltage: | 70 V |
Maximum Operating Temperature: | +100 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Output Type: | NPN Phototransistor |
Package/Case: | DIP-6 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | Transistor Output Optocouplers |
Product Type: | Transistor Output Optocouplers |
Rise Time: | 3 us |
Series: | 4N2x |
Subcategory: | Optocouplers |
Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage: | 5 V |
Вес, г | 0.9883 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 132 КБ
Документация
pdf, 127 КБ
Оптопары импортные
pdf, 241 КБ
4N25, 4N26, 4N27, 4N28
pdf, 133 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»