SIHG050N60E-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 690 руб.
от 10 шт. —
2 170 руб.
от 100 шт. —
1 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 690 руб.
Описание
МОП-транзистор 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 51 A |
| Pd - рассеивание мощности | 278 W |
| Qg - заряд затвора | 130 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 82 ns |
| Время спада | 48 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | Vishay |
| Упаковка / блок | TO-247AC-3 |
Техническая документация
Datasheet SIHG050N60E-GE3
pdf, 128 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
