BCR533E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Описание Цифровой транзистор SOT23/AF Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Assembly | SMT |
Country of origin | China |
Customs tariff number | 85412900 |
Enclosure | SOT-23 |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Manufacturer number | BCR533E6327 |
max. Voltage between Collector and Emitter Vceo | 50V |
Power dissipation | 0.33V |
Saturation voltage | 0.3V |
Version | NPN |
Base Part Number | BCR533 |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Frequency - Transition | 100MHz |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Last Time Buy |
Power - Max | 330mW |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Series | - |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN-Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Документация
pdf, 525 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов