MIW40N65-BP
1 310 руб.
от 30 шт. —
890 руб.
от 120 шт. —
712 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 310 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
IGBT Trench Field Stop 650V 80A 280W сквозное отверстие TO-247
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 165nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 280W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 3.3mJ (on), 1.4mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 62ns/265ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
