BC817K25E6327HTSA1

BC817K25E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.79 руб.
от 100 шт.36 руб.
от 500 шт.28.32 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8006597330

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 160 at 100 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max: 400 at 100 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 42000
Gain Bandwidth Product fT: 170 MHz
Manufacturer: Infineon
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Part # Aliases: BC 817K-25 E6327 SP000271875
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC817
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 856 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов