PHD13005,127

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4227 шт., срок 7-9 недель

190 руб.

от 50 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 100 руб.

от 500 шт. — 75.03 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006638529

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB

Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Current - Collector Cutoff (Max)	100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 2A, 5V
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-220-3
Power - Max	75W
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	TO-220AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Collector Emitter Voltage Max	400В
Continuous Collector Current	4А
DC Current Gain hFE Min	20hFE
DC Усиление Тока hFE	20hFE
Power Dissipation	75Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220AB
Вес, г	1.95