IXA12IF1200HB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 600 руб.
от 30 шт. —
1 100 руб.
от 120 шт. —
875 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Single
Описание Транзистор: IGBT, Planar, 1,2кВ, 13А, 85Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 27nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | PT |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 85W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Reverse Recovery Time (trr) | 350ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247AD (HB) |
| Switching Energy | 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) |
| Test Condition | 600V, 10A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
