VS-ETF150Y65N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 18 710 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Полумост NPT Инвертор 650 В 201A Модуль 600 Вт
Технические параметры
Base Product Number | ETF150 -> |
Configuration | Half Bridge Inverter |
Current - Collector (Ic) (Max) | 201A |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | NPT |
Input | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | 175В°C (TJ) |
Package | Box |
Package / Case | Module |
Power - Max | 600W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | FRED PtВ® -> |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.17V @ 15V, 150A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов