VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 710 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 710 руб.
Номенклатурный номер: 8006723532

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Модуль IGBT Полумост NPT Инвертор 650 В 201A Модуль 600 Вт

Технические параметры

Base Product Number ETF150 ->
Configuration Half Bridge Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 201A
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type NPT
Input Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature 175В°C (TJ)
Package Box
Package / Case Module
Power - Max 600W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series FRED PtВ® ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов