SSM3K127TU,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1714 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
U-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
Brand: | Toshiba |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
Manufacturer: | Toshiba |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | UFM-3 |
Pd - Power Dissipation: | 800 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 93 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9.2 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K127TU.LF
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.