IXFB40N110Q3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 940 руб.
от 10 шт. —
10 450 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 940 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Описание Транзистор: N-MOSFET, Q3-Class, полевой, 1,1кВ, 40А, 1560Вт, 434нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Power Dissipation (Max) | 1560W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 20A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | PLUS264в„ў |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA |
Техническая документация
Datasheet IXFB40N110Q3
pdf, 658 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
