MSCGTQ100HD65C1AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 100 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - Modules
Траншейный полумост для модуля IGBT 650 В 80A Монтаж на шасси SP1
Технические параметры
| Base Product Number | MSCGTQ100 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 80A |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench |
| Input | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Package | Tube |
| Package / Case | Module |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MSC -> |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 10266 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
