DF80R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 80 А, 1.55 В, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

10 300 руб.

от 5 шт. — 9 760 руб.

от 10 шт. — 9 220 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 300 руб.

Номенклатурный номер: 8006386052

Артикул: DF80R12W2H3FB11BPSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200V 20A 20mW Модуль для монтажа на шасси

Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	80А
DC Ток Коллектора	80А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Линейка Продукции	EasyPACK CoolSiC
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.55В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 3(Trench/Field Stop)
Base Product Number	DF80R12 ->
Configuration	Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.21.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	2.35nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tray
Package / Case	Module
Power - Max	20mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	EconoPACKв„ў2 ->
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Вес, г	1