TK110E10PL.S1X
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 8-13 дней
990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 87 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Rise Time: | 6 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | U-MOSIX-H |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
