ALD114913SAL
50 шт., срок 7-9 недель
1 680 руб.
от 50 шт. —
1 070 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Номенклатурный номер: 8006798143
Бренд: Advanced Linear Devices
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 12 мА, 3 мА, 500 мВт, поверхностный монтаж 8-SOIC
Технические параметры
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12mA, 3mA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
ECCN | EAR99 |
FET Feature | Depletion Mode |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 0В°C ~ 70В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) |
Power - Max | 500mW |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500Ohm @ 2.7V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EPADВ® -> |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.26V @ 1ВµA |
Техническая документация
Datasheet ALD114913SAL
pdf, 106 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.