Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8748 шт., срок 6-8 недель

87 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 261 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8006876205

Бренд: Toshiba

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 200 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6

Технические параметры

Base Product Number	74VHC221 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	200MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	200mW
Resistor - Base (R1)	10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10kOhms
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	US6
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	RN2902
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-363-6