AOT12N50

Фото 1/2 AOT12N50
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 руб.
от 2 шт.590 руб.
от 5 шт.512 руб.
от 10 шт.476.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 руб.
Номенклатурный номер: 8007043791
Бренд: Alpha & Omega

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AOT12N50 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET устройством, предназначенным для монтажа типа THT. Этот компонент характеризуется током стока 7,6 А и напряжением сток-исток, достигающим 500 В, обеспечивая при этом сопротивление в открытом состоянии всего 0,52 Ом. Корпус TO220 гарантирует удобство монтажа и надежность использования в различных областях применения. Модель AOT12N50 идеально подходит для эффективного управления мощностью в электронных устройствах, предлагая производителям надежное и эффективное решение. Приобретая AOT12N50, вы получаете продукт, сочетающий в себе передовые технологии и высокую производительность, что делает его востребованным компонентом в современной электронике. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 7.6
Напряжение сток-исток, В 500
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.52
Корпус TO220

Технические параметры

Automotive Unknown
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 12
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 520@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 500
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 4.5
Maximum Power Dissipation - (mW) 250000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tube
Pin Count 3
Supplier Package TO-220
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 30.7
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 30.7@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 1361@25V
Вес, г 2.05

Техническая документация

Документация
pdf, 430 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов