IRF540NL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 2 шт. —
450 руб.
от 5 шт. —
377 руб.
от 10 шт. —
347.76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF540NLPBF от известного производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET элемент в корпусе TO262, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот транзистор характеризуется током стока до 33 А и напряжением сток-исток на уровне 100 В, что делает его отличным выбором для силовой электроники. Мощность устройства достигает 140 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,044 Ом, обеспечивая высокую эффективность и низкие потери мощности в цепи. Продукт с кодом IRF540NLPBF идеально подходит для широкого спектра применений, включая источники питания, моторные управления и другие задачи, где требуется надежный и мощный полевой транзистор. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 33 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.044 |
| Корпус | TO262 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 33A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 130W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 16A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 130 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | I2PAK(TO-262) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 2.884 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
