TP2640N3-G

TP2640N3-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 040 руб.
от 2 шт.930 руб.
от 5 шт.845 руб.
от 6 шт.817.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 040 руб.
Номенклатурный номер: 8007061063

Описание

Электроэлемент
Trans MOSFET P-CH Si 400V 0.18A 3-Pin TO-92 Bag

Технические параметры

Brand Microchip Technology
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 40 ns
Id - Continuous Drain Current -180 mA
Manufacturer Microchip
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-92-3
Packaging Bulk
Pd - Power Dissipation 1 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 15 Ohms
Rise Time 15 ns
RoHS Details
Transistor Polarity P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 60 ns
Unit Weight 0.00776 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage -400 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage 20 V
Brand: Microchip Technology
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 40 ns
Id - Continuous Drain Current: 180 mA
Manufacturer: Microchip
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-92-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 15 Ohms
Rise Time: 15 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Type: FET
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Вес, г 0.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 839 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов