PJQ4476AP-AU_R2_000A1, MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3941 шт., срок 7-9 недель
310 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
174 руб.
от 500 шт. —
137.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 707 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
