2SK879-Y(TE85L.F)
56 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
240 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
JFET Junction FET N-Ch 0,3 - 6,5 мА 10 мА
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0 | 1.2 mA |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage | -5 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Product Category | JFET |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK879 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Unit Weight | 0.000219 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Вес, г | 0.0062 |
Техническая документация
Документация
pdf, 291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
