Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y,LF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

36562 шт., срок 7-9 недель

79 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 237 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007117017

Бренд: Toshiba

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 50 В 150 мА 80 МГц 200 мВт Поверхностный монтаж US6

Технические параметры

Base Product Number	RN1103 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	80MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	125В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max	200mW
RoHS Status	RoHS non-compliant
Supplier Device Package	US6
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	US-6