Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › NXP › PMBT5551,215, Транзистор NPN 160В 0.3А 0.25Вт ...

PMBT5551,215, Транзистор NPN 160В 0.3А 0.25Вт [SOT-23-3]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 руб.

Мин. кол-во для заказа 10 шт.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 90 руб.

Альтернативные предложения5

Посмотреть аналоги6

Номенклатурный номер: 8007242454

Артикул: PMBT5551,215

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 160В, 300мА, 250мВт, SOT23

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	PMBT5551 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.3 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	160V
Maximum DC Collector Current	300mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Transistor Type	NPN
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Base Voltage	180 V
Maximum Collector Emitter Voltage	160 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	80
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1