IHW40N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Фото 1/4 IHW40N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 руб.
от 3 шт.870 руб.
от 6 шт.814 руб.
от 12 шт.768 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 970 руб.
Номенклатурный номер: 8007250045
Артикул: IHW40N120R5XKSA1

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 394 Вт

Технические параметры

Корпус PG-TO-247-3
Base Product Number IHW40N120 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 310nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 394W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopв„ў ->
Supplier Device Package PG-TO247-3
Switching Energy 1.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C -/420ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Channel Type N
Collector Current (DC) 80(A)
Configuration Single
Gate to Emitter Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Through Hole
Operating Temperature (Max) 175C
Operating Temperature (Min) -40C
Operating Temperature Classification Automotive
Package Type TO-247
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Rad Hardened No
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
Maximum Continuous Collector Current 80 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
Maximum Power Dissipation 394 W
Вес, г 8.15

Техническая документация

Datasheet IHW40N120R5XKSA1
pdf, 1770 КБ
Документация
pdf, 1832 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов